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英國光柵刻蝕的核心優(yōu)勢和應用日本傾斜角刻蝕的核心優(yōu)勢體現(xiàn)在哪里？深硅刻蝕：微納結構制造的“精密雕刻大師” 探索反應離子刻蝕機的應用與優(yōu)勢深硅刻蝕技術開啟微納加工新篇章在使用反應離子刻蝕機時要注意這些才行

詳細介紹

品牌	其他品牌	應用領域	環(huán)保,化工,電子/電池

感應耦合電漿蝕刻（ICP）蝕刻是在標準反應離子蝕刻（RIE）的基礎上，添加電感耦合電漿的。感應耦合電漿由磁場圍繞石英晶體管所提供。產生的高密度電漿被線圈包圍，將充當變壓器中的次級線圈，加速電子和離子，從而引起碰撞，產生更多的離子和電子。

高密度的電漿和低真空度增強了具有非等向性的高蝕刻速率。可以根據(jù)製程要求通過調節(jié)來自射頻發(fā)生器的直流偏壓來控制離子和電子能量。

SYSKEY的系統(tǒng)可以精準的控制製程氣體與電漿製程，並提供高精準度的薄膜蝕刻。

感應耦合電漿蝕刻參數(shù)

應用領域	腔體
矽化合物蝕刻(SiO2、SiN4)。光阻蝕刻。 III-V族化合物半導體（GaAsn，InP，GaN）蝕刻。微機電系統(tǒng)。金屬與矽蝕刻。	陽極電鍍處理鋁腔。通過使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。
配置和優(yōu)點	選件
客製化的基板尺寸，最大直徑可達12寸晶圓。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。具有高均勻度氣體分佈的質量流量控制器。穩(wěn)定的溫度控制，將載盤加熱至300°C或冷卻至-20°C。使用Tornado ICP線圈，ICP電漿高達2000W，可增強低溫下的沉積。低損壞，高速率處理，高深寬比。基板具有氦氣冷卻之功能，均勻的控制溫度。均勻的氣體擴散，具有優(yōu)化的氣體分佈。	靜電吸盤。蝕刻終點偵測（OES，激光）相容性。可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。